全球不少國家正就5G網絡設施爭議之際，陝西西安電子科技大學蕪湖研究院近日傳出，成功用氮化鎵材料試製國產化5G通訊晶片，意味着內地各企業生產晶片時，有望用上國產材料，可能為有關行業帶來翻天覆地的改變。
據悉，氮化鎵半導體材料，具有寬頻隙、電擊穿場強、高熱導率、低介電常數，強抗輻射能力及良好化學穩定性等優越物理化學性質，可望成為繼第一代半導體硅、第二代半導體砷化鎵之後，新一代的微電子器件和電路的關鍵材料，特別適合於高頻率、大功率、高溫和抗輻射電子器件與電路的研製。
該研究院依託於西電寬頻隙半導體技術國家重點學科實驗室，研發出全國產的碳化硅襯底的氮化鎵材料，目前在國際第三代半導體技術領域處於領先水平，將有助5G通訊製造領域的國產化進程。
研究院技術總監指出，研究院目前已掌握氮化鎵材料的生產和5G通訊晶片的核心設計與製造能力，下一步將盡快將技術商用，力爭早日推向市場。