南韓半導體大廠三星電子一名高層,涉嫌收受中國賄賂,意圖盜取機密並在中國境內建設半導體廠。韓聯社 報道,南韓水原地檢署表示,已經以涉嫌違反「產業技術保護法」、「防治不當競爭法」等罪,對這名65歲常務A某提出拘留起訴。
A涉嫌從2018年8月至2019年以不當手法，獲取並使用三星電子半導體工廠基本工程數據、工藝流程圖、設計圖等信息。涉案技術為用於製造30納米以下動態隨機存取存儲器（DRAM）和閃存晶片（NAND）的製程工藝，屬於國家關鍵技術。
經調查發現，A企圖在距離三星電子西安半導體工廠僅1.5公里處，興建山寨版三星晶片廠。由於台灣一家電子產品製造商曾承諾的8萬億韓元（約合人民幣443億元/62.2億美元）投資落空，工廠建設項目沒有實際進行。但據悉，A曾在成都獲得4600億韓元（3.58億美元）投資建設半導體工廠，其中研發樓已於去年完工，並採用三星電子半導體技術生產出了樣品。
A曾任三星電子常務、SK海力士副社長等職務，是南韓半導體製造領域具有權威地位的人物。他在華設廠後錄用200名三星電子、SK海力士的員工，並指示他們獲取並利用三星電子半導體設計資料。檢方推算，A洩露技術給三星電子至少造成3000億韓元（2.33億美元）損失。
A在中國設立公司所屬5名員工及一名三星電子合作廠商員工，也以涉嫌違反「防治不當競爭法」遭起訴，但當局對他們採取「不予拘留」。
記者：方德豪 責編：李榮添 網編：江復